給低功率電磁輻射正名之后，真正要考慮的是導(dǎo)致胎兒畸形的原因。當(dāng)準(zhǔn)媽媽享受著呵護(hù)備至的孕期，感覺寶寶一天天長(zhǎng)大，例行產(chǎn)檢時(shí)卻被告知有畸形，這對(duì)于準(zhǔn)媽媽來說簡(jiǎn)直是晴天霹靂。那么是什么原因?qū)е碌奶夯文兀?/p>

致畸因素包括環(huán)境因素和遺傳因素。環(huán)境因素包括化學(xué)、物理、微生物等。

化學(xué)因素指孕早期服用的致畸藥物、酒精、煙草等。孕早期是致畸敏感期，經(jīng)常接觸這些物品就有可能會(huì)造成胎兒畸形。

物理因素包括電離輻射、高溫、噪音等。這里的電離輻射在上文中也提過，極少出現(xiàn)在日常生活中。而在孕期，特別是孕早期，注意不要長(zhǎng)時(shí)間處于高溫環(huán)境中，洗浴水溫最好保持在感到舒適的38°到45°之間，盡可能的不蒸桑拿，并且盡量遠(yuǎn)離噪音污染。

微生物是指病毒、寄生蟲以及細(xì)菌等。如感染弓形蟲、風(fēng)疹或者流感都會(huì)增加胎兒的畸形率。所以在懷孕之前最好排除是否感染，這樣能夠提前接種疫苗做好預(yù)防。

遺傳因素最常見的是染色體異常和基因發(fā)生突變。包括單基因遺傳病、多基因遺傳病、染色體病。一般在孕早期就會(huì)開始排查染色體病，但一些大的畸形要到孕中期做大排畸時(shí)才能詳細(xì)檢查出。

準(zhǔn)媽媽們懷孕時(shí)的心情如坐過山車，整個(gè)孕期都要擔(dān)心寶寶是不是健康，直到平安出生，有一點(diǎn)問題就夜不能寐。因此在懷孕初期甚至備孕時(shí)都要注意避免以上文中提及的致畸因素，盡量保護(hù)好自己和寶寶，平安順利地度過孕期。